650V-1500V高壓MOS

傳統(tǒng)的超結(jié)結(jié)器件深槽外延制造工藝，由于其開關軟度不夠，容易出現(xiàn)開關振蕩并引發(fā)電磁干擾（EMI）問題。安海半導體發(fā)明的超結(jié)產(chǎn)品具有專利技術的制程和器件結(jié)構設計，對多層外延工藝進行了優(yōu)化，提升了器件開關的軟度并改善了外延缺陷密度，解決了傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)的EMI和外延缺陷可靠性的問題，其高開關頻率接近昂貴的GaN器件，而成熟的Si材料使得安海超結(jié)具備極高的可靠性。