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BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速I(mǎi)GBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個(gè)額外的開(kāi)爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱(chēng)為開(kāi)爾文發(fā)射極端子，繞過(guò)柵極控制回路上的發(fā)射極引線(xiàn)電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)能量。英飛凌單管IGBT國(guó)產(chǎn)代替主要規(guī)格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國(guó)產(chǎn)替代，AIKW50N65RF5國(guó)產(chǎn)替代，IKW50N65ES5國(guó)產(chǎn)替代，IKW50N65EH5國(guó)產(chǎn)替代，IKW50N65ET7國(guó)產(chǎn)替代），BGH50N65HS1典型應(yīng)用戶(hù)用光伏儲(chǔ)能機(jī)雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國(guó)產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國(guó)產(chǎn)替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國(guó)產(chǎn)替代，IKW75N65ES5國(guó)產(chǎn)替代，IKW75N65EH5國(guó)產(chǎn)替代，IKW75N65ET7國(guó)產(chǎn)替代），BGH75N65HS1典型應(yīng)用戶(hù)用光伏儲(chǔ)能機(jī)雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國(guó)產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國(guó)產(chǎn)替代），BGH40N120HF典型應(yīng)用光伏三相儲(chǔ)能機(jī)雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管（IKW40N1... [詳細(xì)介紹]